[반도체] 1’st Tier 업체 중심9월초 DRAM/NAND Flash고정거래선 가격 인상...키움증권 ■ Channel 재고와 UTT 물량 일시적 출회로 DRAM 현물가격 일시적 하락후 소강상태 - 즉, 512Mb DDR2 DRAM(667MHz) 현물가격 : 8월초 US$2.15 → 8월/24일 US$1.92(10 % 하락) ■ 하지만 1’st Tier 업체 중심 9월초에 DRAM 가격 및 NAND Flash 메모리의 고정거래선 가격 인상 확실시됨 - 이는 ① S사 정전으로 NAND Flash 메모리 공급부족이 지속되고 있으며, ② DRAM 대비 수익성이 월등히 뛰어난 NAND Flash 메모리로 라인 전환이 DRAM 공급량 증가 둔화로 이어지고, ③ 3Q07중반부터 출하되는 신모델 PC의 메모리 용량 급증(2GB/Sys)이 DRAM 수요의 큰 폭 증가로 이어지고 있기 때문임. - 512Mb DDR2 DRAM 고정 거래선 가격(1’st Tier 업체 기준)은 8월에US$2.20에서 9월/초에 9%MoM 증가한 US$2.40 내외로 가격을 인상한 것으로 추정됨. - 당초 보합을 예상했던 NAND Flash 메모리도 계절적 성수기와 더불어 2’nd Tier 업체의 품질 문제에 따른 공급차질이 지속되어 9월초에 추가 인상이 예상됨. (9월초 Nego. 예상) ■ 삼성전자와 하이닉스의 2H07실적 시장의 기대치 상회 - 삼성전자 메모리 반도체 3Q07 매출액 US$50억(사내 매출 포함), 동사 영업이익 2조원 내외로 추정 ① 일시적 정전이 3Q07 NAND Flash 메모리 출하량 정체로 이어지나 가격 반등폭이 당초 예상치를 큰 폭으로 상회하고, ② Desktop용 DRAM 대비 고가인 노트북용 DRAM 비중 증가로 3Q07 DDR2 DRAM의 ASP 상승폭 이 예상치를 큰 폭으로 상회하고, ③ 9월에 DRAM 가격의 추가 반등이 예상되기 때문임 - 하이닉스의 3Q07 외형과 수익성 시장 예상치 상회. 매출액 42%QoQ 증가한 US$28억, OP-Margin 20~23% 내외로 추정. 이는 ① NAND Flash 메모리 가격 급등과 더불어 출하량이 대폭 증가하고, ② 주력인 DDR2 DRAM 가격이 지난 2Q07 대비 반등하기 때문임 ■ 메모리 중장기 호황 국면 진입중 ⇒ 삼성전자와 하이닉스 적극매수를 권함 - 2H07 실적이 시장의 기대치를 상회하는 Earning Surprise 예상되며 Valuation 지표상으로 저평가 - 계절적 비수기로 인해 1Q08에 NAND Flash 메모리 가격이 큰 폭으로 하락할 것으로 보이나, Capex 증설 축소와 원가 경쟁력 취약한 8인치 Fab의 Fade-out 을 감안할 경우에 메모리 반도체 중장기 호황 국면 진입중