하이닉스반도체가 내년 중국 현지법인에 대한 투자 1조5천원을 포함해 총 3조5천억원 가량을 투자하는 방안을 검토한다. 하이닉스반도체의 정형량 부사장은 13일 여의도 63빌딩에서 개최한 3.4분기 기업설명회(IR)에서 "내년에는 국내에 약 2조원, 중국에는 1조5천억원 가량을 투자할 계획이며 경영 성과와 시장상황에 따라 탄력적으로 대응할 방침"이라고 말했다. 그는 또 "올해는 상반기까지 1조5천억원의 투자를 집행했고 3.4분기까지 합하면 투자규모가 1조8천억-1조9천억원이 된다"면서 "당초 올해 2조2천억원을 계획했었으며 나머지 부분은 연말까지 집행할 계획"이라고 설명했다. 이어 김인재 상무는 낸드플래시 비중에 대해 "우리는 낸드플래시 시장에 늦게 진입했기 때문에 낸드플래시의 비중을 꾸준히 늘려나가야 하는 상황"이라면서 "낸드플래시의 시황이 좋기 때문에 앞으로도 시장 상황을 감안해 낸드플래시의 비중을 늘려나갈 계획"이라고 말했다. 그는 특히 "애플의 MP3 아이팟나노와 마이크로소프트의 게임기 X박스 360의 출시로 인해 신규 수요가 창출될 것으로 기대된다"면서 "이 부분에 대해 앞으로 계속 노력해서 진입해야 할 목표로 삼고 있다"고 설명했다. 김 상무는 "3.4분기 D램의 평균판매가격이 2분기보다 약 8% 상승했고 특히 이중 PC 이외의 부문에 대한 판매 비중이 절반 수준으로 상승했다"면서 "이 부문이 PC쪽보다 평균판매가격이 50-60% 가량 높다"고 말했다. 하이닉스반도체는 또 고부가치 제품 생산을 위해 현재 12만장(200㎜웨이퍼기준)수준인 90나노 D램 규모를 4.4분기에는 24만장 수준으로 늘리기로 했으며, 경기도 이천의 M6라인 설비를 중국 우시(無錫)공장과 청주 공장으로 이전한 뒤 여기에 300㎜웨이퍼 라인을 만들 방침이다. 이렇게 되면 하이닉스반도체의 300㎜웨이퍼 생산 능력은 총 7만∼8만장에 달할 전망이다. 하이닉스반도체는 4.4분기부터 낸드플래시에서 70나노 공정을 적용해 제품을 양산할 계획이며, 현재 진행중인 도시바와의 특허분쟁은 피해가 없도록 적극 대응할 방침이라고 밝혔다. (서울=연합뉴스) 김지훈 기자 hoonkim@yna.co.kr