하이닉스반도체는 차세대 이동정보 통신기기 시장을 겨냥한 초저전력 SD램 개발에 성공했다고 11일 밝혔다. 이 제품은 회로선폭 0.18미크론(1미크론 =1백만분의 1미터)의 미세 가공기술을 적용하고 2.5V의 저전압에서 동작할 수 있도록 설계됐다. 온도에 따라 충전 속도를 조절할 수 있고 대기시간중 데이터가 있는 부분만 충전되는 등의 소비전력 절감 기술을 적용했다. 이를 통해 전력 소모량을 기존 제품에 비해 60%이상 줄여 휴대기기의 배터리 사용시간을 늘릴 수 있는게 특징이라고 하이닉스측은 밝혔다. 하이닉스측은 이 제품을 3.4분기부터 양산할 계획이며 내년 상반기에는 2백56메가 초저전력 SD램 제품도 생산키로 했다. 회사 관계자는 "기존 제품에 비해 크기가 3분의 1에 불과하고 전력소모량도 크게 줄여 일반 SD램보다 3~4배 비싸게 거래되는 고부가가치 제품"이라고 말했다. 이심기 기자 sglee@hankyung.com