LG반도체는 기가급 D램과 2백56메가D램등 차세대반도체 생산을 위한 핵심
장비인 새로운 차원의 유기금속화학증착(MOCVD)장비를 개발했다고 16일
발표했다.

이는 선진7개국 수준의 기술을 확보하기 위해 추진된 G7 프로젝트의 일환
으로 94년부터 4년간 32억원을 투자해 성공한 것이다.

이 장비는 반도체 제조공정의 핵심인 커패시터용 유전막을 형성하는 장비로
고유전체물질인 바륨스트론튬티타늄산화물을 사용, 화학증착하는 설비다.

따라서 기존 유전막물질로 사용된 실리콘산화막에 비해 유전율이 1백배
이상 높아 커패시터의 구조를 단순화시키면서 필요한 축전용량을 충분히
확보할수 있는 특징이 있다.

게다가 유전막의 균일성이 세계적으로 가장 뛰어난 것으로 평가되고 있다.

LG반도체는 대당 20억원 이상되는 이번 장비개발로 수입대체효과가 2천억원
에 이를 것으로 전망하고 있다.

특히 이 공정기술을 통해 칩크기를 줄일수 있고 제조공정도 40% 축소해
제조비용도 절감할수 있다고 밝혔다.

LG반도체는 이번 장비와 관련 약 30건의 특허를 국내외에 출원했다.

이 회사의 백광선 부사장은 "자체 기술을 이용한 로 핵심장개발로 차세대
메모리소자의 양산을 앞당기게 돼 시장선점에 유리한 고지를 차지케 됐다"고
말했다.

< 김낙훈 기자 >

(한국경제신문 1997년 12월 17일자).