SK하이닉스, 소비전력 25% 줄인 모바일 D램 판매
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HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정이다. 성능은 높이면서도 소모 전력을 줄인 게 특징이다.
회사는 해당 제품이 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 정한 초저전압 범위인 1.01~1.12V에서 작동하면서 이전 세대 대비 소비전력을 25% 줄이는 데도 성공했다고 강조했다.
모바일용 D램으로 불리는 LPDDR의 경우 규격명에 LP(Low Power)라는 표현이 사용된 만큼 낮은 전력 소비가 최대 관건이다.
SK하이닉스는 자사 LPDDR5X 모바일용 D램이 최초로 HKMG 공정을 도입해 전력 소비를 줄이면서 이전 세대 대비 33% 빠른 8.5Gbps의 동작 속도를 보인다고 설명했다.
정재홍기자 jhjeong@wowtv.co.kr