'초격차' 한 발 더…삼성전자, 업계 최초 D램에 EUV 적용

1세대 10나노급(1x) EUV D램 양산…업계 유일 양산체제 구축

삼성전자 화성사업장 V1라인/사진제공=삼성전자

삼성전자가 업계 최초로 D램에 극자외선(EUV) 공정을 적용한 양산 체제를 갖췄다.

삼성전자는 EUV 공정을 적용해 생산한 '1세대(1x) 10나노급'(10nm·1nm는 10억분의 1미터) DDR4 D램 모듈 100만개 이상을 공급했다고 25일 밝혔다. 이로써 삼성전자는 메모리 업계 최초로 차세대 D램 제품부터 EUV 공정을 전면 적용한 기업이 됐다.

EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝 공정을 줄이면서도 패터닝 정확도를 높일 수 있어 성능과 수율을 끌어올릴 수 있다. 제품 개발 기간의 비약적 단축도 가능하다.

삼성전자는 14나노 초반대 '4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술'을 개발 중에 있다. EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급 D램은 1세대 10나노급 D램보다도 12인치 웨이퍼당 생산성이 2배 높아 품질과 수율이 크게 향상될 것으로 보인다.

삼성전자는 내년부터 4세대 10나노급 D램(DDR5, LPDDR5)을 양산하고 5~6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서 기술 '초격차' 확대에 주력할 계획. 7세대 V낸드 개발과 함께 고대역폭 메모리 등 차별화된 제품 개발로 신성장 시장 분야 주도권을 확보할 방침이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 부사장은 "업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한 발 앞서 제공할 수 있게 됐다"며 "혁신적 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장 성장에 기여할 것"이라고 말했다.

배성수 한경닷컴 기자 baebae@hankyung.com