삼성전자가 세계에서 처음으로 40나노급 공정을 이용한 4Gb(기가비트) DDR3 D램 양산을 시작했다. 작년 7월 40나노급 2Gb DDR3 D램을 양산한 지 7개월 만에 용량을 다시 두 배로 늘린 셈이다.

삼성전자는 지난해 1월 세계 최초로 개발한 4Gb DDR3 D램을 40나노급 공정을 이용해 양산에 들어갔다고 24일 발표했다. 이 반도체는 32GB(기가바이트) 및 16GB 제품으로 만들어져 서버에 사용되며 8GB 제품은 PC,노트북 등에 장착될 예정이다.

회사 관계자는 "작년부터 양산한 40나노급 2Gb DDR3 D램으로는 최대 16GB 용량의 모듈 제품을 만들었지만 이번 4Gb 제품을 이용해 처음으로 최대 32GB 제품을 공급할 수 있게 됐다"고 말했다.

노트북도 8GB 모듈을 이용하면 두 개를 꼽아 최대 16GB 용량의 메모리 탑재가 가능해져 그래픽이나 멀티미디어 작업을 하는 전문가들도 속도문제 없이 컴퓨터를 사용할 수 있게 된다고 회사 측은 설명했다.

김용준 기자 junyk@hankyung.com