삼성전자가 세계최초로 머리카락굵기의 1/3000 두께에 불과한 최첨단 반도체 제조공정으로 DDR3 램 양산에 돌입했습니다. 하이닉스도 3분기 안에 40나노급 DDR3 램 양산을 준비중입니다. 전재홍기자가 보도합니다. 삼성전자가 지난 1월 세계 최초로 개발한 40나노급 공정을 적용한 D램을 이번 달 말부터 본격 양산합니다. 도로에 비유하면 DDR D램은 2차선, DDR2는 4차선, DDR3 D램은 8차선이라고 볼 수 있어 DDR3의 처리속도는 DD2램보다 두 배이상 빠르고 낮은 전압에서 구동해 성능은 기존보다 20%정도 향상됐습니다. 소비자의 체감속도 향상뿐 아니라 40나노 공정의 제품양산으로 생산성도 증가했습니다. 기존 주력이었던 50나노급 공정에 비해 40나노급의 생산성은 60% 정도 높습니다. 즉, 웨이퍼 하나에서 나오는 반도체 갯수가 기존에 100개라면 40나노급에서는 160개로 늘어 가격경쟁력을 확보할 수 있습니다. 삼성과 비슷한 시기에 40나노급 DDR3를 개발했던 하이닉스도 늦어도 3분기 안에 양산체제를 갖출 예정입니다. 한 시장 조사기관의 조사를 보면 전체 D램 시장에서 DDR3가 차지하는 비중이 올해 20%에서 3년 뒤면 82%까지 늘어날 것으로 예상됩니다. 가격경쟁력을 통해 확보한 업체가 시장을 선도하는 만큼 해외 경쟁사와의 격차는 더욱 커질 전망입니다. 기술적으로 시장 선도의 발판 마련과 더불어 시장환경도 호전되고 있습니다. 올 초 1달러 미만이었던 DDR3 1기가램은 손익분기로 여겨지는 1달러 20센트 선을 웃돌고 있습니다. 글로벌 경기침체의 여파로 극심한 수익난을 겪었던 국내 반도체업체들은 생산성 우위에 가격상승이라는 훈풍에 힘입어 호실적로 이어질 지 관심이 높습니다. WOW-TV NEWS 전재홍입니다. 전재홍기자 jhjeon@wowtv.co.kr