하이닉스반도체는 3일 세계 최초로 3중셀(X3) 기술을 적용한 32기가비트 낸드플래시 메모리 개발에 성공했다고 밝혔습니다.

3중셀은 하나의 셀에 세 개의 정보를 담을 수 있는 기술로 이번에 개발한 제품은 칩 면적을 30% 이상 줄여 원가를 절감할 수 있습니다.

저장 용량은 MP3 음악파일 8000곡, DVD화질급 영화 20편 등을 담을 수 있는 32기가바이트로 세계 최대 수준입니다.

특히 이 제품은 세계 최초로 하이닉스, 인텔, 소니, 마이크론 등이 주도하고 있는 ONFI, 즉 낸드플래시 표준화 규정을 따라 셀 간 간섭현상을 제어할 수 있도록 한 장치(Block Abstracted)를 장착했습니다.

하이닉스는 이 기술을 기반으로 16기가비트 양산 적용에 한정됐던 48나노 공정기술을 32기가비트 제품까지 확대 적용해 오는 10월부터 양산에 들어갈 예정입니다.

송철오기자 cosong@wowtv.co.kr