하이닉스반도체는 2일 미국 반도체회사인 그란디스사와 차세대 메모리 STT램(Spin－Transfer Torque RAM) 공동 개발을 위한 전략적 제휴를 체결했다고 밝혔다.

하이닉스가 차세대 반도체 개발을 위해 해외 업체와 기술 제휴를 한 것은 이번이 네 번째다.

전력이 없어도 정보를 보관할 수 있는 비휘발성 메모리인 STT램은 D램과 낸드플래시의 장점을 고루 갖춘 것이 특징이다.

기존 메모리 반도체보다 소비전력이 낮고 D램보다 속도가 빨라 다양한 전자기기에 적용이 가능하다.

STT램은 특히 D램 등 기존 메모리반도체의 한계로 여겨지는 40㎚(나노미터,1㎚는 1m의 10억분의 1) 이하의 미세공정이 가능해 이르면 2012년부터 D램을 대체할 것으로 평가받고 있다.

하이닉스 관계자는 "STT램 관련 특허를 보유하고 있는 그란디스와 기술제휴를 맺음으로써 향후 반도체 시장 선점 가능성을 높일 수 있게 됐다"고 설명했다.

김현예 기자 yeah@hankyung.com