하이닉스반도체가 세계 최소형 1Gb 모바일 D램 개발에 성공했습니다. 66나노 공정 기술을 이용한 이 제품은 60나노급 공정으로는 세계 최초로 개발돼 상용화되며 현재까지 개발된 1Gb 모바일 D램 제품 가운데 크기가 가장 작고 데이터 처리 속도가 가장 빨라 다양한 초소형 전자 기기와 메모리 제품에 적용이 가능합니다. 또 하이닉스반도체의 '원 칩 솔루션' 기능을 갖춰 탑재되는 기기 사양에 맞춰 데이터 처리 속도와 방식을 하나의 칩에서 변경해 사용할 수 있는 특징이 있습니다. 하이닉스의 최고속.최소형 1Gb 모바일 D램은 내년 1분기부터 양산에 들어갈 예정입니다. 한정연기자 jyhan@wowtv.co.kr