삼성전자는 지난해 10월 개발한 50나노 1기가 DDR2 D램이 업계 최초로 인텔 인증을 획득했다고 19일 밝혔다.

인텔 인증은 세계 주요 D램 업체들이 새로운 칩을 개발할 때마다 거쳐야 하는 일종의 '기술 테스트'다.

세계 최대의 CPU(중앙연산처리장치) 제조업체인 인텔은 각사가 개발한 D램이 자사의 CPU에 적합한지 여부를 평가한다.

따라서 이번 인증 획득은 인텔이 삼성전자의 50나노 D램을 자사 CPU에 탑재할 수 있을 정도로 기술력이 뛰어나다는 점을 확인해 준 것이다.

이번에 인텔 인증을 받은 삼성전자의 50나노 D램은 80나노 칩에 비해 두 배,60나노 칩에 비해서는 50%가량 생산성이 높은 첨단 반도체다.

특히 이 칩의 데이터 처리속도는 기존 DDR2 제품 중 가장 빠른 초당 800Mb(메가비트)다.

회사 관계자는 "인텔 인증 획득으로 이 칩의 양산 가능성을 공인받았다"며 "차세대 D램 기술에서도 기술우위를 확보하게 됐다"고 말했다.

삼성전자는 이번 인증획득을 계기로 50나노 D램을 내년 상반기부터 본격적으로 양산할 계획이다.

이태명 기자 chihiro@hankyung.com