삼성전자가 세계최초 90나노 D램 양산에 들어갔습니다. 이 회사는 최첨단 300mm 라인에서 90나노 공정을 적용(1나노는 10억분의 1m, 머리카락 굵기의 10만분의 1)한 512Mb(메가비트;Mega-bit) DDR D램을 본격 양산한다고 밝혔습니다. 삼성전자는 D램에서 나노시대를 최초로 개막하는 것을 의미하며 원가경쟁력은 0.1미크론대비 40퍼센트올릴 수 있게됐다고 설명했습니다. 삼성전자는 이번에 △ 삼성의 독자적인 3차원 트랜지스터 제작 기술인 'RCAT (Recessed Channel Array Transistor)' △ D램의 데이터 저장 특성을 개선하기 위한 '고유전막 기술' △ 나노급 초미세 회로 구현을 위한 '불화아르곤(ArF) 광원' 등의 핵심기술을 적용했습니다. 90나노 공정은 512Mb D램에 적용할 경우 기존 0.10미크론(㎛) 대비 약 40%의 생산성 향상을 가져와 제품의 원가경쟁력을 획기적으로 높일 수 있는 첨단 미세 공정기술입니다. 삼성전자는 지난해 업계 첫 90나노 2기가 낸드 플래시 양산에 이어, D램 제품에도 업계에서 최초로 90나노 공정을 적용하며, 최첨단 메모리 미세 공정기술의 우수성을 다시 한 번 입증했습니다. 한편, 이번에 90나노 공정으로 양산하는 D램 제품은 512Mb DDR 400MHz와 DDR 333MHz로 90나노 D램으로는 업계 최초로 인텔 인증을 획득한 제품입니다. 삼성전자는 이번 90나노 512Mb D램의 양산을 시작으로 점차 생산량을 늘려 나갈 계획이며, 올해 말부터는 90나노 DDR2 제품도 양산을 시작하는 등 D램 全제품으로 90나노 공정을 확대해 차세대 대용량 D램 시장을 공략할 계획입니다. 삼성전자의 D램 공정은 현재 0.11미크론급 이하가 90% 이상을 차지하고 있으며, 연말까지는 95%이상까지 비중이 확대될 예정입니다. 이중 90나노 비중은 연말까지 전체 D램의 5% 수준으로 예상되고 있습니다. 한익재기자 ijhan@wowtv.co.kr