삼성전자는 미국 오스틴 반도체공장에 2005년까지 3년간 5억달러를 투자키로 하고 2일(현지시간) 장비 반입·추가 투자 기념식을 가졌다. 노무현 대통령의 방미를 앞두고 한·미 우호관계 증진을 위해 마련된 이날 기념식에는 조지 부시 전 미국 대통령을 비롯해 릭 페리 텍사스주지사,이윤우 반도체 총괄사장,이승환 오스틴 법인장 등 2백여명이 참석했다. 삼성은 이 자리에서 오스틴 공장의 설비투자 계획을 담은 '나노테크 3개년 투자계획'을 발표했다. 삼성전자는 2005년까지 오스틴 공장에 나노(1nm=10억분의 1m) 공정을 도입하고 웨이퍼 가공 능력도 월 3만장에서 4만5천장으로 50% 가량 늘리기로 했다. 올 하반기까지 1억2천7백만달러가 들어가는 1단계 투자가 완료되면 오스틴 공장의 생산공정은 현재 0.13㎛(마이크로미터·1㎛=1백만분의 1m)에서 0.11㎛로 향상된다. 2005년까지 나노 공정이 도입되면 오스틴 공장은 웨이퍼당 칩 수가 40%나 증가해 획기적인 원가 절감 효과를 이룰 수 있다. 조시 부시 전 미국 대통령은 축사에서 한·미 우호관계를 강조하고 삼성의 투자에 고마움을 표시했다. 김성택 기자 idntt@hankyung.com