삼성전자[05930]는 D램, 플래시메모리 등 메모리 반도체를 생산하는 경기 화성사업장내 12라인 시설에 1조4천671억원을 투자할계획이라고 31일 밝혔다.

이 금액은 내년 메모리 반도체의 양산 1단계에 대한 시설 투자금액으로 2.3단계투자 규모는 아직 밝혀지지 않았다.

삼성전자는 지난 8월6일 12라인 골조공사에 1천335억원을 투자했다고 발표했었으며, 골조공사 금액을 포함하면 전체 투자액은 1조6천억여원에 달한다.

삼성전자는 앞으로 12라인의 3단계 공사까지 끝내 월 3만-4만장의 웨이퍼 생산설비를 갖추려면 총 3조 가량의 투자금이 들어갈 것으로 예상했다.

(서울=연합뉴스) 권혁창 기자 faith@yna.co.kr