삼성전자는 5일 기존 싱크로너스 방식보다 정보처리속도가 두배 빠른
DDR(Double Data Rate)방식의 4백50MHz 4메가 S램을 개발, 내년 1.4분기
부터 판매한다고 발표했다.

삼성은 S램에 DDR방식을 적용하기는 미국 IBM에 이어 두번째이나 IBM
보다 제조 원가를 크게 낮춰 가격경쟁력이 있다고 설명했다.

S램은 계산기능을 가진 반도체로 컴퓨터 캐쉬 메모리,이동통신기기,
ATM,이더넷등 인터넷장비에 주로 탑재되고있다.

삼성이 이번에 개발한 제품은 정보처리속도가 싱크로너스 방식의 한계로
지적돼온 2백50MHz보다 2배정도 빠르고 사용전압도 기존제품(3.3V)보다
0.8V 낮은 2.5V이다.

S램 가격은 현재 4메가 5백MHz급이 50달러선으로 같은 용량의 D램보다
20배 이상 높다.

반도체시장 조사기관인 데이타 퀘스트에 따르면 S램 시장은 지난해
37억달러에서 올해 35억달러로 축소되나 이동통신기기의 급성장으로 고속
대용량 제품은 수요가 꾸준히 늘어날 것으로 전망되고있다.

DDR은 데이터 처리량이 싱크로너스보다 두배 많은 새로운 메모리
반도체 제조 기술로 D램 반도체에 주로 채용되고 있다.

지난해 7억5천만달러 매출로 세계 S램 시장을 20.5% 점유하며 4년
연속 점유율 1위를 차지한 삼성전자는 올해 8억5천만달러어치를
팔아 시장점유율을 23%로 높인다는 전략이다.

삼성전자 관계자는 "1메가,4메가,8메가 등 다양한 D램 제품을 확보하고
있는데다 양산 기술이 앞서 S램 반도체를 개발했다"고 말했다.

박주병 기자 jbpark@

( 한 국 경 제 신 문 1999년 8월 6일자 ).