현대전자는 차세대 메모리 반도체인 64메가 DDR 싱크로너스 D램
샘플을 최근 출하했다고 4일 발표했다.

현대의 64메가 DDR 싱크로너스 D램은 회로선폭이 0.22미크론m(1
미크론m은 1백만분의 1m)으로 국제표준화기구인 JEDEC의 PC266 규격을
만족시키는 제품이다.

또 4,8,16비트등 다양한 데이터 버스폭을 지원하며 클럭 주파수는
1백33MHz ,핀당 데이터 전송속도는 2백66Mbps이다.

이에 따라 같은 주파수의 싱크로너스 D램보다 전송속도가 2배이상
빨라 PC서버나 고성능 워크스테이션 등에 적합하다고 현대는 설명했다.

현대는 올초 미국의 휴렛팩커드,IBM 등에 칩과 모듈을 공급, 품질의
우수성을 인정받아 공급업체로 지정됐다며 다음달부터 대량 생산할
계획이라고 밝혔다.

또 올해 3.4분기중에는 이 제품보다 용량이 큰 1백28메가 DDR 싱크로너스
D램도 양산할 예정이다.

현대 관계자는 "경쟁제품인 램버스 SD램 칩셋의 출하시기 오는 9월로
당초 예정보다 늦어져 DDR SD램의 시장은 더욱 커질 것으로 본다"고
말했다.

박주병 기자 jbpark@

( 한 국 경 제 신 문 1999년 3월 5일자 ).