현대전자, 초미세 복합칩 기술 개발..회로선폭 0.21미크론m

현대전자는 0.21미크론m(1미크론m는 1백만분의 1m)의 회로선폭을 사용한
초미세 복합칩 제조 기술을 세계 처음 개발했다고 28일 발표했다.

이에따라 칩 하나에 최대 1백28메가 D램과 고성능 로직 트랜지스터를
동시에 내장할 수 있어 정보통신기기의 고집적 고성능 수요를 충족시킬
수 있게 됐다고 현대는 밝혔다.

이번에 개발된 기술은 데이터를 전송할수있는 버스폭이 1천24비트로
기존 기술(32비트)보다 30배 이상 커졌다.

또 정보처리속도도 기존보다 50~60%정도 빠르다고 현대는 설명했다.

현대는 기술을 개발하면서 기존 D램 공정을 그대로 사용할수 있도록
설계해 추가 투자비부담도 없다고 덧붙였다.

현대전자는 이번에 개발된 기술로 내년 상반기에 3차원 그래픽 컨트롤러,
네트워크 컨트롤러, 디지털 TV 칩셋등 각종 통신기기용 복합칩을 대량
생산할 계획이다.

복합칩은 메모리과 로직(비메모리)을 하나로 결합한 칩으로 별도 설치할
경우 발생하는 잡음, 입출력단수의 제한, 전력소모등을 줄이고 제품을
소형경량화시킬 수 있는 장점이 있다.

이에따라 앞으로 수요가 꾸준히 늘어 오는 2001년에는 시장이 약 80억달러
에 달할 것으로 현대는 예상했다.

현대전자는 지난 96년부터 복합칩 기술개발에 나섰다며 이번 기술 개발로
차세대 복합칩 시장을 선점할 수 있는 기반을 마련했다고 설명했다.

현대는 내년에 S램과 로직을 결합한 복합칩을 선보이고 2000년에는
0.15미크론m 회로선폭을 적용한 시스템 온칩 기술도 개발할 것이라고 밝혔다.

< 박주병 기자 jbpark@ >

( 한 국 경 제 신 문 1998년 9월 29일자 ).