미국과 일본이 현재 개발중인 차세대 12인치 반도체 웨이퍼의 평기기준을
통일키로 합의했다.

미.일 주요 반도체 업체는 28일 호눌룰루에서 비공식으로 열린 미.일
반도체 협의에 참석, 12인치 웨이퍼용 반도체 제조장치의 기능 평가기준을
통일한다는데 의견을 모았다.

이에따라 일본은 5월,미국은 내년에 각각 독자안을 마련한뒤 조정작업을
벌여 통일안을 결정하게 된다.

이번에 통일키로 합의한 내용은 12인치웨이퍼용 반도체 제조장치의 평가
기준중 "종류별 크기" "무게" "시간당 처리능력" "신뢰성" "시작품의 품질
수준"등으로 반도체 업체들이 12인치 웨이퍼를 실용화하는데 중요한 판단
기준이다.

현재 주류를 이루고 있는 8인치웨이퍼까지는 평가기준이 반도체제조장비
업체별로 제각각 이었다.

그러나 차세대 반도체는 공장을 1곳 건설하는데 최소한10억달러이상의
투자가 필요하기 때문에 총 투자액의 80%를 점하는 반도체 제조장치의
평가기준 통일이 급선무로 지적돼 왔다.

특히 미국.유럽.아시아연합과 일본이 각각 12인치 평기가준을 연구중이어서
세계 반도체 업계에 2개의 평가기준이 등장할 우려가 있었으나 이번 합의로
12인치 웨이퍼 반도체의 설비투자를 대폭 삭감할 수 있게 됐다.

미국에서는 인텔, 모토로라, 텍사스인스투르먼트등 미국 반도체업체에
한국의 삼성전자등이 가세, 4월부터 미.유럽.아시아 공동 12인치 웨이퍼
개발 프로젝트가 착수됐다.

일본에서도 NEC, 도시바, 히타치제작소등 반도체 10사가 지난 2월 요코하마
에 대규모 클린룸을 합작 건설, 11월부터 12인치 웨이퍼용 반도체 제조장치
의 테스트에 들어간다.

<>.12인치 웨이퍼 : 현재 주력제품인 8인치 웨이퍼로는 64메가D램까지
만들수 있으나 2백56메가D램부터는 12인치 웨이퍼가 반드시 필요하다.

고집적반도체를 만들기 위해서는 웨이퍼의 대형화가 필수적이나 웨이퍼가
커지면 휘기 쉬워지는등 문제점이 있어 세계 반도체 업체들은 이를 해결하기
위한 첨단기술 개발에 열을 올리고 있다.

(한국경제신문 1996년 4월 29일자).