中 '칩 홀로서기'…韓과 기술격차 불과 3년

美 제재 뚫고 더 강해진 중국 '반도체 굴기'

CXMT, 16나노 기술로 DDR5 D램 양산 시작
"메모리 경쟁 준비 끝내"…K반도체 초긴장

사진=게티이미지뱅크

지난달 17일 중국의 한 전자상거래 사이트에 올라온 사진 한 장에 글로벌 반도체업계가 발칵 뒤집혔다. ‘중국 반도체, 거침없는 기세’ 등의 문구가 적힌 이 사진은 현지 D램 모듈업체 킹뱅크의 ‘중국산(産) 더블데이터레이트5(DDR5) D램으로 만든 32GB(기가바이트) 모듈’ 광고였다. 당시 “SK하이닉스 중국 공장에서 생산한 D램으로 장난친 것” “중국의 ‘D램 굴기’가 결실을 맺었다” 등 분석이 엇갈린 이 D램의 정체가 밝혀졌다. 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 16나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m)기술로 양산한 DDR5 D램으로 확인됐다.

26일 산업계에 따르면 반도체 전문 시장조사업체 테크인사이츠는 최근 보고서를 통해 “중국 유통시장에 나온 32GB DDR5 D램 모듈은 CXMT의 16Gb(기가비트) DDR5 D램 16개로 구성됐다”며 “CXMT의 최신 16㎚ ‘G4’ D램 기술이 적용됐다”고 밝혔다. 테크인사이츠는 지난달 시장에 풀린 중국산 DDR5 D램 모듈을 확보해 분석했다. DDR5 D램은 전 세대인 DDR4보다 용량이 크고 전송 속도가 약 두 배 빠르다.

CXMT가 활용한 16㎚ G4는 삼성전자와 SK하이닉스가 2021년 본격 양산한 10나노 3세대(1z·15.8~16.2㎚) 공정과 같다. 한국과 CXMT의 D램 기술 격차가 3년으로 좁혀졌다는 분석이 나오는 이유다. 전 세대 D램인 DDR4 관련 공정 기술 격차는 5년 이상이었다. 테크인사이츠는 “CXMT가 미국 제재를 뚫고 16㎚ D램을 양산한 데 의미가 있다”며 “삼성, SK하이닉스와 경쟁할 준비가 됐다는 의미”라고 평가했다.

한국 기업들은 초긴장 상태다. 삼성전자와 SK하이닉스는 CXMT의 16㎚ DDR5 D램 기술 정밀 분석을 시작하는 등 대응책 마련에 들어갔다.

황정수/김채연 기자 hjs@hankyung.com