中 "국산 심자외선 노광장비 기술적 도약"

15일 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 따르면 중국 공업정보화부는 자국산 반도체 심자외선(DUV) 노광장비 2종이 중요한 기술적 도약을 이뤘다고 주장했다.



공업정보화부는 이 노광장비들이 "중요한 기술적 도약을 이뤘고 자체 지식재산권을 보유했지만 아직 시장에 나오지는 않았다"고 설명했다. 그러나 해당 장비 2종의 제작사 이름은 공개하지 않았다.

중국이 개발했다는 2종 DUV 노광장비중 하나는 파장 193나노(㎚, 10억분의 1m)에서 작동하며 해상도 65나노 미만, 오버레이(overlay) 정확도 8나노 미만이다.



다른 하나는 파장 248나노, 해상도 110나노, 오버레이 정확도 25나노다.

이 두 장비 모두 여전히 현재 시장에서 구할 수 있는 최첨단 제품보다는 한참 뒤처져있다.

일례로 네덜란드 반도체 장비업체 ASML의 최첨단 DUV 노광장비는 해상도 38나노 미만, 오버레이 정확도 1.3나노급이다.

게다가 DUV 노광장비보다 훨씬 짧은 13.5나노 파장을 사용하는 극자외선(EUV) 노광장비도 이미 상용화됐다.

노광(Lithography)은 반도체 기판(실리콘 웨이퍼)에 고도로 복잡한 회로 패턴을 새기는 공정이다.

중국은 반도체 자립자족을 위해 수년간 노력했지만 첨단 반도체를 안정적으로 양산하는 데 필요한 노광장비 개발은 아직 더디다.

이런 상황에서 세계 EUV 노광장비 시장을 거의 독점하는 ASML은 2019년부터 대(對)중국 수출에 제한받고 있다. 특히 7나노 이하 반도체 생산에 필요한 최첨단 EUV 노광장비는 ASML만이 생산한다.

SCMP는 "현재 중국에서 사용하는 대부분의 노광장비는 여전히 ASML 제품"이라며 "중국 유일 노광장비 개발사인 국영 상하이마이크로일렉트로닉스(SMEE)도 ASML 같은 글로벌 경쟁사에 한참 뒤처진다는 지적이 나온다"고 전했다.

이어 "다만 지난 10일 공개된 기업등록정보에 따르면 SMEE는 작년 3월 '극자외선(EUV) 방사선 발생기 및 리소그래피 장비' 특허를 출원해 현재 심사받고 있다"고 덧붙였다.



(사진=연합뉴스)


이영호기자 hoya@wowtv.co.kr