미국의 대중국 제재 속 화웨이·룽손에 이은 '기술 도약' 평가받을 듯
CXMT, 中 최초 LPDDR5 D램 생산…"한미와 기술격차 좁혀"
중국 주요 D램 반도체 업체인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 자국 최초 LPDDR5(Low Power Double Data Rate 5) D램을 생산했다고 밝혔다.

사실이라면 미국의 대(對)중국 기술 규제에도 중국 반도체 업계 기술 도약이 또 이뤄진 것이다.

30일 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 따르면 CXMT는 전날 홈페이지에 올린 성명에서 중국 최초 LPDDR5를 생산했다고 발표했다.

LPDDR은 모바일용 저전력 D램이다.

CXMT는 일련의 LPDDR5 제품을 출시한다고 알리면서 그중 12Gb(기가비트) LPDDR5는 샤오미와 트랜션 등 자국 스마트폰 제조사로부터 이미 인증을 받았다고 밝혔다.

이어 새롭게 선보이는 LPDDR5는 이전 세대인 LPDDR4X 보다 데이터 전송 속도는 50% 향상됐고 전력 소모는 30% 줄어들었다고 설명했다.

그러면서 LPDDR5가 자사 제품을 다양화하고 성장하는 모바일 기기 시장에서 자사의 입지를 확대할 것이라고 전망했다.

다만 CXMT는 어떤 공정으로 LPDDR5를 제조했는지 밝히지 않았다.

앞서 2018년 7월 한국 삼성전자가 10나노급 8Gb LPDDR5 D램을 세계 최초로 개발했다.

삼성전자는 이어 2021년 다음 세대인 16Gb LPDDR5X를 선보였다.

한국 SK하이닉스는 2021년 3월 LPDDR5 양산에 돌입했고, 미국 마이크론은 2020년 초 LPDDR5를 만들었다고 발표했다.

CXMT는 이들 글로벌 D램 시장 선두 주자들을 따라잡겠다는 야심으로 2016년 설립됐다.

CXMT가 내놓은 LPDDR5는 이들 글로벌 선두 주자들의 제품과 성능 면에서 크게 뒤처져있지만, 미국이 중국에 대한 반도체 제재를 강화하는 가운데 개발이 이뤄져 주목된다.

SCMP는 "CXMT가 한국, 미국 경쟁사들과 격차를 좁히는 성과를 이뤘고 이는 중국이 수입품에 대한 의존을 줄일 수 있게 할 것"이라고 평가했다.

이어 "중국 최초 LPDDR5 메모리 반도체 개발은 네덜란드 ASML과 일본 제조사들로부터 중요 첨단 노광장비에 대한 공급이 차단된 상황에서도 중국이 느리지만 꾸준히 반도체 개발과 제조 기술에서 진전을 이루고 있는 가운데 나온 것"이라고 설명했다.

앞서 중국 최대 통신장비업체 화웨이는 지난 8월 말 7나노(㎚, 10억분의 1m) 첨단 반도체를 장착한 5세대 이동통신(5G) 스마트폰을 출시했다.

또 중국 반도체 설계회사 룽손테크놀로지는 지난 28일 차세대 중앙처리장치(CPU) '3A6000'을 공개했다.

이에 대해 중국 관영매체들은 미국 인텔이 2020년 선보인 CPU와 성능이 같다고 주장했다.

CXMT, 화웨이, 룽손 모두 미국의 제재 대상이다.

지난달 미국은 대중국 반도체 규제를 저사양 칩으로 확대하는 추가 수출통제 조치를 발표하며 중국에 대한 압박을 강화했다.

시장조사회사 카운터포인트의 브래디 왕은 SCMP에 "CXMT는 여전히 수율(생산품 대비 정상품 비율) 제고와 함께 한국 D램 제조사들의 제품과 가격·품질 경쟁이라는 힘든 싸움에 직면해 있다"고 지적했다.

다만 LPDDR5 제작에 사용된 기술은 미국의 수출 통제 레드라인에 포함되는 첨단 기술은 아닐 수 있다고 덧붙였다.

/연합뉴스