삼성전자는 2025년 2나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 공정에서 모바일 칩을 양산하고 2026년 고성능 컴퓨팅, 2027년 자동차용으로 확대 적용할 계획이다. 이를 통해 글로벌 파운드리(반도체 수탁생산) 1위 업체인 대만 TSMC를 맹추격하겠다는 전략이다.

삼성전자는 27일(현지시간) 미국 실리콘밸리 시그니아힐튼호텔에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2023’을 열고 2나노 양산 계획을 밝혔다. 삼성전자가 구체적인 2나노 양산 계획을 제시한 것은 이번이 처음이다. 최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장은 기조연설에서 “인공지능(AI) 혁명이 전 산업에서 새로운 시대를 열고 있다”며 “삼성전자는 AI 반도체에 가장 최적화된 트랜지스터 기술을 계속 혁신해 AI 기술 패러다임 변화를 주도하겠다”고 강조했다.

이날 포럼에서 삼성전자는 2나노 공정 로드맵을 설명하는 데 상당한 시간을 할애했다. 나노란 반도체 회로 선폭을 의미한다. 회로 선폭이 미세할수록 더 좋은 성능의 반도체를 생산할 수 있다. 이 회사에 따르면 2나노 공정은 3나노 대비 성능은 12%, 전력효율은 25% 높다. 삼성전자는 TSMC에 비해 파운드리 사업을 늦게 시작했지만, 최첨단 공정으로 TSMC와의 격차를 좁힐 수 있을 것으로 보고 있다.

삼성전자는 8인치 질화갈륨(GaN) 전력반도체 파운드리 서비스를 2025년 시작한다는 계획도 이날 처음 공개했다. GaN은 차세대 전력반도체로, 실리콘 반도체의 물리적 한계를 극복해 성능 개선과 전력 절감을 극대화할 수 있다는 게 강점이다. 또한 ‘셸 퍼스트’ 전략을 통해 2027년 클린룸(생산능력)을 2021년 대비 7.3배로 확대해 늘어나는 고객 수요에 대비할 계획이다.

실리콘밸리=최진석 특파원 iskra@hankyung.com