SK하이닉스, 소비전력 줄이고 속도 33% 빠른 모바일D램 개발
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HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정으로, 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있는 것이 특징이다.
SK하이닉스는 최근 LPDDR5X 양산에 들어가 시장에 제품을 공급하고 있다. 이번 제품의 동작속도는 초당 8.5Gb(기가비트)로 이전 세대 대비 33% 빠르다.
이번 LPDDR5X 신제품은 초고속을 구현하는 동시에 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 정한 초저전압 범위인 1.01∼1.12V(볼트)에서 작동한다. 그 결과 기존 제품 대비 소비전력이 25% 줄어 현재 시장에 출시된 모바일 D램 중 전력사용 효율성이 가장 높다고 SK하이닉스는 설명했다.
현재 DDR은 DDR5로 5세대까지, LPDDR은 5X로 7세대(1-2-3-4-4X-5-5X 순)까지 개발됐다.
SK하이닉스는 최근 LPDDR5X 단품 칩을 여러 개 결합해 만든 16GB(기가바이트)의 패키지를 시장에 출시했다. 패키지 제품의 데이터 처리속도는 초당 68GB로, FHD(풀HD)급 영화 13편을 1초에 처리하는 수준이다.
이영호기자 hoya@wowtv.co.kr