미국의 세계 최대 반도체 업체인 인텔은 4일(현지시각) 마이크로프로세서디자인의 혁명인 3D 기술을 적용한 차세대 반도체 칩 생산을 올해 시작한다고 밝혔다. 파이낸셜 타임스는 인텔이 차세대 반도체 칩인 '아이비 브릿지'에 활용될 3D 트라이 게이트 트랜지스터를 이날 공개했다며, 이것이 지난 50년 이상된 마이크로프로세서 디자인의 혁명이라는 점을 인텔이 강조했다고 전했다. 인텔은 아이비 브릿지 프로세서를 연내에 생산할 것이라면서 여기에 사용되는 혁신적인 3D 기술을 개발하는데 5년 가량이 걸린 점을 강조했다고 신문은 지적했다. 신문은 반도체 트랜지스터가 평면 구조로, 마치 종이에 프린트하듯 생산됐으나 3D 기술이 개발됨으로써 더 적은 전력으로 훨씬 탁월한 성능을 발휘할 수 있게 됐다는 것이 인텔의 설명이라고 전했다. 마켓워치는 이로써 22나노미터 3D 트라이게이트 트랜지스터 상용화가 가능해져 인텔이 휴대전화 등 소형 휴대기기 반도체 시장에도 본격적으로 진입할 수 있게 된 것으로 분석했다. 1나노미터는 10억분의 1미터에 해당되는 크기로 반도체에서 나노 단위는 각종 회로를 웨이퍼 원판에 그려넣는 선폭의 크기를 말한다. 따라서 이것이 커질수록 반도체 칩의 밀도가 높아진다는 의미다. 차희건기자 hgcha@wowtv.co.kr