삼성전자, 3D-TSV 적용 DDR3 D램 개발

삼성전자가 세계 최초로 3D-TSV(Through Silicon Via)를 적용한 8GB(기가바이트) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 개발했다고 7일 밝혔다.

D램은 대용량 임시기억장치로 사용되는 제품으로 지난 3·4분기 세계 D램 시장 점유율은 삼성전자가 40.7%로 1위, 하이닉스가 20.9%로 2위를 기록했다.

삼성전자가 이번에 개발한 패키징 방법은 쌓아 올린 칩을 와이어로 연결하는 기존 와이어 본딩(Wire bonding) 방식에 비해 동작속도가 1,333Mbps로 70% 이상 고속 동작이 가능하고 칩의 두께를 줄였다.

또 소비전력을 40% 이상 줄일 수 있고 기존 제품에 비해 2~4배 큰 대용량 구현이 가능해 서버의 성능을 최소 50% 이상 향상 시킬 수 있다.

앞서 삼성전자는 지난 10월 고객사 서버에 이 제품을 장착해 성능 테스트도 완료했다.

삼성전자 관계자는 "내년 이후 4Gb 이상 대용량 DDR3 D램에도 3D-TSV 기술을 적용해, 32GB 이상 대용량 서버용 메모리 제품을 확대하고 서버 업체는 물론 CPU, 컨트롤러 업체들과의 협력을 강화해 3D-TSV 서버 모듈 제품의 시장 기반을 더욱 넓혀 나갈 예정"이라고 말했다.

시장조사기관에 따르면 서버 시장에서 클라우딩 컴퓨터의 비중이 지속 증대되고, 서버당 탑재되는 소프트웨어의 수도 늘고 있어 향후 3년간 고성능 서버에 탑재되는 메모리 용량이 두 배 이상 증가될 것으로 전망된다.

한경닷컴 김동훈 기자 dhk@hankyung.com