서울대 박병국 교수팀 '원뿔구조' 소자

국내 연구진이 대용량 데이터를 기존보다 10배 이상 빠르게 처리할 수 있는 '노어(NOR) 플래시 메모리' 원천기술을 세계 최초로 개발했다.

20일 교육과학기술부에 따르면 서울대 전기컴퓨터공학부 박병국 교수팀은 고집적ㆍ대용량ㆍ고속 정보처리가 가능한 '원뿔구조 NOR 플래시 소자'를 개발하는 데 성공했다.

전원이 꺼지면 정보가 사라지는 D램과 달리 전원이 꺼진 상태에서도 정보를 저장할 수 있는 플래시 메모리는 회로 형태에 따라 '낸드(NAND)형'과 'NOR형'으로 구분된다.

낸드형 플래시는 내부 회로가 NOR형과 비교해 단순해 고집적, 대용량화에 유리한 특징을 가져 디지털 카메라, MP3플레이어에 주로 쓰이고, NOR형은 처리속도가 빨라 휴대전화에 많이 활용되고 있다.

하지만, 현재 NOR 플래시 메모리의 구조는 채널이 평면형으로, 정보기록 속도가 느리고 배선 구조상의 문제로 집적화 효율이 저하되는 등 향후 5년내 성능과 집적도 증가에 한계가 올 것으로 예상된다.

이번 연구에서 박 교수팀은 기존보다 정보처리 속도가 10배 이상 빠르고 고집적화로 32기가바이트(Gb) 이상 대용량 메모리 저장이 가능한 '원뿔 구조' NOR 플래시 메모리소자를 개발했다.

새로운 NOR 플래시 소자의 채널은 정보 기록과 삭제 효율을 획기적으로 향상시켰고 고에너지 전자의 주입 효율이 기존보다 10배 이상 향상돼 정보를 기록하는데 1 마이크로초(μs) 미만이 걸려 10배 이상 고속 동작이 가능하다.

박 교수는 "이번에 개발된 원뿔구조가 기존의 평면구조를 대체할 수 있어 현재 NOR 플래시 시장을 주도하고 있는 인텔을 뛰어넘을 수 있는 경쟁력을 확보하게 됐다"고 말했다.

이번 연구결과는 전자소자 분야 핵심 권위지(IEEE Electron Device Letters) 최신호에 게재됐으며, 국내특허 등록 1건 및 미국 특허 1건을 출원 중이다.

(서울연합뉴스) 김영섭 기자 kimys@yna.co.kr