삼성전자, 세계 최대 용량 D램 개발

삼성전자가 전력 소비를 최대 40%까지 줄일 수 있는 50나노급 4기가비트(Gb) DDR3 D램을 세계 최초로 개발했다고 29일 밝혔다.

지난해 9월 50나노 공정 2기가비트 DDR3 D램을 최초 개발한 이후 5개월만에 두 배 용량 제품을 내놓은 것이다.

4기가비트 DDR3 D램은 공정과 제조 원가 뿐 아니라 전력 소비 측면에서 강점을 갖고 있어, 최근 서버 업계를 중심으로 높아지고 있는 친환경 사양 요구에 맞춰 효과적인 저전력 메모리 솔루션을 제공할 수 있다는게 삼성전자의 설명이다.

16기가바이트 D램 모듈을 제작할 경우 2기가비트 D램은 단품 72개를 탑재하지만 4기가비트는 36개로 제작할 수 있어 40% 이상 전력 소비를 절감할 수 있다.

단품 기준으로 봤을 때 4기가비트 DDR3는 2기가비트에 비해 30% 가량 전력 절감이 가능하며, 1기가비트에 비해서는 70%까지 전력 소비를 줄일 수 있다.

4기가비트 D램은 50나노 공정 및 저전력 설계 기술을 적용해 1.35V에서 최대 1.6Gbps(1초당 1600메가비트)의 데이터 처리 속도를 구현해 기존 DDR D램 1.5V 동작 대비 20% 가량 성능이 향상됐다.

또 데이터센터 등 많은 서버를 설치하는 응용처의 경우 저전력 메모리를 탑재하면 전기료 절감 외에도 열 방출 장비나 파워 공급 설비 비용 절감, 공간 절약 등 효과를 볼 수 있다고 삼성전자는 설명했다.

삼성전자는 이같은 전력 절감 효과가 메모리 용량이 커질수록 확대되므로 고용량 메모리 시장 확대에 따라 4기가비트 D램 수요가 더 증가할 것으로 기대하고 있다.

한편 반도체시장조사기관 IDC에 따르면 전세계 DDR3 D램 시장 규모는 올해 비트 기준으로 전체 D램 시장의 29%, 2011년 75%를 차지할 것으로 추산된다. 또 DDR3 D램 중 2기가비트 이상 비중도 올해 3%에서 2011년 33%까지 확대될 것으로 전망됐다.

한경닷컴 박철응 기자 hero@hankyung.com

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