하이닉스반도체가 D램 반도체 이어 낸드플래시에서도 300㎜웨이퍼 양산 체제를 갖췄다.

이 회사는 최근 충북 청주에서 300㎜웨이퍼를 사용하는 낸드플래시 전용 양산공장(M11 라인)을 완공, 5일 장비 반입식을 가졌다고 밝혔다.지난해 4월 착공한 M11 라인은 40나노 초미세 생산공정을 갖춘 곳으로 하이닉스의 국내외 낸드플래시 공장 가운데 유일한 300㎜웨이퍼 팹(fab)이다.

하이닉스는 D램의 경우 경기도 이천(M10라인)과 중국 우시(C2라인)에 300㎜웨이퍼 팹을 확보하고 있지만 낸드플래시는 생산성이 떨어지는 200㎜웨이퍼 팹만 보유하고 있다.회사 관계자는 “300㎜웨이퍼 팹은 200㎜웨이퍼 팹에 비해 생산성이 30% 가량 높다”며 “M11 라인이 본격 가동되면 낸드플래시 경쟁력을 한단계 더 높일 수 있을 것”이라고 설명했다.

이날 장비 반입을 시작한 M11 라인은 3개월여간 시험 가동을 한 뒤 오는 6∼7월께 본격적인 양산에 들어간다.하이닉스는 M11 공장을 통해 오는 8월까지 월 2만장(웨이퍼 투입기준)의 낸드플래시를 양산할 방침이다.

이어 내년 하반기께에는 M11 라인에 30나노 공정을 추가로 도입해 생산량을 월 10만장 규모로 늘린다는 계획이다.이를 위해 하이닉스는 내년까지 3조2000억원을 M11 라인에 추가로 투입하기로 했다.

이태명 기자 chihiro@hankyung.com


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