메모리용량 증대시킬 강자성 나노선 기술 개발
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국내 연구진이 원래 자성을 띠지 않는 코발트 실리콘(CoSi) 화합물을 강자성의 극미세 나노선으로 바꾸는 기술을 개발했다.
김봉수 한국과학기술원(KAIST)교수(사진)팀은 실리콘 기판에 코발트 화합물을 합성시켜 강자성을 띠는 새로운 금속화합물인 코발트 실리콘 극미세 나노선을 제조하는데 성공했다고 23일 밝혔다. 이번 연구는 자성과 연관없는 물질들도 극미세 나노 수준에서는 자성을 갖게 할 수 있음을 증명한 것으로 자성전자소자(스핀트로닉스)를 활용한 차세대 자성반도체 개발에 도움을 줄 전망이다.
김 교수는 "이 기술을 한 단계 더 발전시켜 나노선이 기판에 수직으로 촘촘하게 배열되도록 합성할 수 있게 되면 3차원 메모리 소자 개발이 가능해 메모리 용량을 획기적으로 증대시킬 수 있다"고 설명했다.
오춘호 기자 ohchoon@hankyung.com
김봉수 한국과학기술원(KAIST)교수(사진)팀은 실리콘 기판에 코발트 화합물을 합성시켜 강자성을 띠는 새로운 금속화합물인 코발트 실리콘 극미세 나노선을 제조하는데 성공했다고 23일 밝혔다. 이번 연구는 자성과 연관없는 물질들도 극미세 나노 수준에서는 자성을 갖게 할 수 있음을 증명한 것으로 자성전자소자(스핀트로닉스)를 활용한 차세대 자성반도체 개발에 도움을 줄 전망이다.
김 교수는 "이 기술을 한 단계 더 발전시켜 나노선이 기판에 수직으로 촘촘하게 배열되도록 합성할 수 있게 되면 3차원 메모리 소자 개발이 가능해 메모리 용량을 획기적으로 증대시킬 수 있다"고 설명했다.
오춘호 기자 ohchoon@hankyung.com