한국과학기술원, 8나노미터 소자 개발

국내 연구진에 의해 테라비트급 8나노미터 플래시 메모리 개발이 성공했습니다.

최양규 한국과학기술원 전자전산학과 교수팀과 나노종합팹센터는 실리콘 나노선과 SONOS 기술을 결합한 8나노미터(nm)급 비휘발성 플래시 메모리 소자를 개발했습니다.

8나노미터(nm) 반도체 기술은 성인 머리카락 두께의 1만2천분지 1에 해당하는 기술로, 기존의 비휘발성 메모리 기술의 한계를 일보 진전시킨 연구 결괍니다.

한국과학기술원은 '황의 법칙'이 10나노미터급 이하까지 유지될 수 있다는 가능성을 제시했다며 오는 6월 12일 국제학회에 발표할 예정입니다.

양재준기자 jjyang@wowtv.co.kr