하이닉스반도체는 세계 최초로 60나노급 1기가비트(Gb) DDR2 D램을 사용한 800MHz 메모리 모듈을 개발했다고 17일 밝혔다.

메모리 모듈은 단일 D램과 로직 회로 등을 하나의 기판에 합쳐 놓은 것으로 흔히 '램'(RAM)이라고 부른다.

하이닉스가 이번에 개발한 1GB DDR2 모듈은 800MHz와 667MHz의 속도를 구현할 수 있는 두 종류로 세계에서 가장 빠른 데이터 처리속도를 낼 수 있다.

특히 이 제품은 기존 80나노급 DDR 모듈에 비해 모듈 생산성을 50%가량 높일 수 있다.

이태명 기자 chihiro@hankyung.com