삼성전자가 세계 최초로 50나노 1기가 D램을 개발,2000년 150나노 D램을 첫 개발한 이후 7년 연속 D램 기술의 한계를 뛰어넘으며 '세계 메모리 반도체 최강자'임을 입증했다.

삼성전자는 50나노 기술 개발로 1995년의 D램 슈퍼 호황을 능가하는 '제 2의 D램 슈퍼 호황'을 주도한다는 전략이다.

삼성전자는 19일 기존 공정에 비해 데이터 처리속도를 높이면서 크기를 대폭 줄일 수 있는 50나노 공정 1기가비트(Gb) D램을 개발했다고 발표했다.

50나노 공정은 현재 주요 업체들이 사용하고 있는 90나노 공정에 비해 4세대나 앞선 기술이다.

반도체 회로의 최소 단위인 '셀(cell)'을 3차원 입체 방식으로 설계해 기존 80나노 공정보다 100%가량,60나노 공정보다는 55%가량 생산성을 높일 수 있다.

삼성전자는 이번 50나노 공정을 2008년 1분기부터 생산라인에 적용할 계획이다.

삼성전자는 50나노 기술 개발에 따라 향후 D램 시장이 폭발적으로 성장할 것으로 기대하고 있다.

조남용 삼성전자 반도체총괄 부사장은 "(50나노 D램 시장 규모는) 2008년 50억달러에 이어 2011년까지 총 550억달러에 달할 것으로 예상된다"며 "경쟁사보다 최소 1년가량 앞선 기술력을 바탕으로 50나노 이후 시장도 삼성전자가 주도할 것"이라고 말했다.

한편 삼성전자는 올해 자사 D램 매출이 단일 반도체 품목으로는 처음으로 100억달러를 돌파할 것으로 전망했다.

이태명 기자 chihiro@hankyung.com