하이닉스반도체가 극미세 반도체 제조기술인 60나노(nano)급 D램을 개발했다.

하이닉스반도체는 4일 "이달 초 이천공장에서 66나노 회로공정을 적용한 1기가비트(Gb) DDR2 D램을 개발,현재 시험생산을 위해 준비하고 있다"고 밝혔다.

'나노' 공정은 반도체 회로를 머리카락 굵기의 1만분의 1 수준으로 미세하게 만들 수 있는 기술이다.

한 단계 앞선 나노기술을 이용할 경우 웨이퍼 한 장당 반도체 생산량이 대폭 늘어난다.

이번 하이닉스가 개발한 60나노급 공정은 현재까지 가장 앞선 공정인 80나노에 비해 반도체 생산량을 50%가량 높일 수 있다.

이태명 기자 chihiro@hankyung.com