삼성전자는 미국 IBM,독일 인피니언,싱가포르 차터드 등 해외 반도체 3개사와 공동으로 45나노(nano) 로직공정을 개발했다고 30일 밝혔다.

45나노 로직공정을 개발하기는 인텔에 이어 삼성전자 등 4개사가 두번째다.

로직공정은 D램·낸드플래시 등의 메모리 반도체가 아닌 시스템LSI(비메모리) 반도체를 만들 때 사용하는 기술이다.

이번 45나노(1나노=10억분의 1m) 로직공정은 특히 휴대폰 등 모바일기기에 주로 쓰이는 시스템온칩(SoC) 반도체 칩 제조에 필수적인 극미세 제조기술이다.

이 공정을 적용할 경우 기존 65나노 공정에 비해 시스템온칩의 집적도를 2배,동작속도를 30%가량 높일 수 있다.

삼성전자와 IBM,차터드 등은 이번 45나노 로직공정을 각사 12인치 생산라인에 설치한 뒤 2007년 말부터 양산에 들어갈 계획이다.

삼성전자 관계자는 "IBM 차터드 등 3개 반도체 회사와 공동으로 2004년 65나노 공정을 개발한 데 이어 이번 45나노 공정 개발에 성공함으로써 메모리 반도체에 이어 시스템LSI 시장에서도 기술 경쟁력을 확보할 수 있을 것"이라고 말했다.

이태명 기자 chihiro@hankyung.com