삼성전자가 세계 최초로 최첨단 80나노 D램 시대를 열었습니다. 삼성전자는 80나노 기술을 512Mb DDR2 D램에 적용해 업계 처음으로 양산을 시작한다고 밝혔습니다. 지난 2004년 업계 첫 90나노 D램 양산과 지난해 D램 전 제품 90나노 공정 도입에 이어 3세대 연속 최첨단 나노 D램 기술을 주도하는 쾌거입니다. 삼성전자가 2003년 9월 최초로 개발한 80나노 D램 공정기술에는 D램의 '집적도'와 '데이터 보유특성'을 획기적으로 개선할 수 있는 삼성만의 독자적인 '3차원 트랜지스터 기술'이 적용됐습니다. 이에 따라 삼성전자는 현재 주력 공정인 90나노 공정 대비 50% 이상 생산성 향상효과와 함께 추가 투자도 최소화할 수 있는 효과를 거두게 됐습니다. 삼성전자 관계자는 "80나노 D램의 조기 양산으로 원가경쟁력과 선두 업체로서의 프리미엄은 더욱 강화될 것으로 내다보고 있다."고 말했습니다. 삼성전자는 80나노 공정을 주력 D램 제품으로 부상한 512Mb DDR2 D램에 우선 적용하고 향후 타 D램 제품군으로 빠르게 확대 적용해 나간다는 방침입니다. 조성진기자 sccho@wowtv.co.kr