손톱 만한 반도체 칩 하나가 대용량 데스크톱이나 노트북 컴퓨터를 대체할 날이 현실로 다가왔다. 삼성전자가 지난 2001년 일본 도시바의 제휴 제의를 뿌리치고 독자적으로 시작한 플래시메모리 사업은 이제 세계 정보기술(IT) 업계의 흐름을 뿌리째 흔드는 변화를 예고하고 있다. 삼성전자가 12일 발표한 50나노 16기가비트(Gb) 낸드플래시 메모리는 반도체 극한기술이 집약된 제품이다. 삼성전자는 플래시메모리 분야에서 60%가 넘는 시장 지배력과 타의 추종을 불허하는 대용량 제품을 앞세워 향후 반도체 시장은 물론 모바일 및 디지털 전자제품 시장 전반에 대한 장악력을 한층 높일 수 있게 됐다. ◆'플래시 러시' 시작됐다 "19세기 미국의 골드러시(Gold Rush)에 버금가는 플래시 러시(Flash Rush) 현상이 가속화될 것이다." 황창규 삼성전자 사장은 "이번 16Gb 낸드플래시 개발로 향후 모든 모바일 기기가 플래시메모리로 대체될 것"이라며 이같이 말했다. 디지털카메라 MP3플레이어에 이어 디지털캠코더 PMP(휴대용 뮤직플레이어) 카내비게이션 등은 물론 자동차 항공기 선박 등에 낸드플래시가 광범위하게 쓰일 것이란 얘기다. 황 사장은 특히 이번 16Gb 낸드플래시 개발로 향후 플래시 시장 역시 삼성전자가 주도하면서 시장 지배력을 한층 강화할 수 있을 것으로 자신했다. 최근 미국 애플사가 삼성전자의 2Gb,4Gb 낸드플래시를 장착한 MP3플레이어를 시판했듯이 소니 델 노키아 등 주요 업체들도 신제품을 개발하기 위해선 삼성전자의 낸드플래시를 사용할 수밖에 없다는 자신감에서다. 실제 삼성전자는 지난해 플래시메모리 부문에서 도시바 인피니언 하이닉스 등 3대 플래시메모리 업체의 매출 합계보다 15%가량 많은 매출을 기록했다. 영업이익도 이들 세 업체 영업이익 합계보다 8배가량 많은 실적을 냈다. ◆메모리-비메모리 시너지 가속화 그동안 삼성전자 반도체 부문의 고민은 메모리 부문에 비해 시스템LSI(비메모리) 부문의 경쟁력이 약하다는 것이었다. D램과 낸드플래시가 업계 1위인 반면 시스템LSI는 일부 품목을 제외하고는 인텔 등 경쟁업체에 비해 기술력이 뒤처졌다. 황 사장도 이날 "시스템LSI의 경쟁력을 높이고 메모리와 시스템LSI를 결합한 제품을 개발하지 않고서는 세계 최정상의 위치를 달성할 수 없다"고 말했다. 삼성은 이에 따라 앞으로 낸드플래시와 시스템LSI를 결합한 퓨전형 반도체 개발을 통해 '메모리-비메모리 동반 성장'을 추진키로 했다. 이날 발표한 720만화소 CMOS이미지센서(CIS) 모바일CPU MP3용솔루션 카드용솔루션 등이 그것. 황 사장은 "현재 세계 1위 제품인 LDI(LCD구동칩) CMOS이미지센서 등 5개 제품과 메모리·시스템LSI를 결합시킨 '퓨전 반도체'를 육성,3~4년 내에 시스템LSI '톱5'에 들도록 노력할 것"이라고 밝혔다. ◆다시 입증된 '황(黃)의 법칙' 지난 2002년.황창규 사장은 국제반도체학회(ISSCC) 총회 기조 연설에서 '메모리 신성장론'을 발표했다. '1년6개월마다 메모리 반도체의 집적도가 2배로 확대된다'는 '무어의 법칙' 대신 '1년에 2배씩 집적도가 늘어난다'는 이론.이른바 '황(黃)의 법칙'이다. 삼성전자는 '황의 법칙' 발표 이후 세계 플래시메모리 시장을 주도했다. 같은 기간 삼성전자는 1999년 220나노 공정,2002년 90나노 공정을 통해 플래시메모리 반도체 상용화에 나섰다. 그리고 올해 삼성전자는 50나노 공정을 이용한 16Gb 낸드플래시 메모리 반도체를 개발,반도체 역사를 새롭게 썼다. 황 사장은 "기원전 105년 중국의 채륜이 종이를 발명한 이후 최대의 정보전달 매체 혁명"이라고 이번 개발 의미를 설명했다. 그는 "50나노 기술을 기존 16Gb뿐만 아니라 8Gb와 4Gb 낸드플래시에도 확대 적용,오는 2010년 총 300억달러 규모의 시장을 창출하겠다"고 말했다. 이태명 기자 chihiro@hankyung.com