삼성전자[05930]와 하이닉스[00660]반도체가 차세대 고속 D램인 DDR400에 대해 인텔로부터 나란히 공식 인증을 획득했다. 삼성전자는 256메가 단품과 모듈 각각 2종, 512메가 모듈 3종 등 총 7개 품목이 최근 DDR400에 대한 모든 테스트를 통과했다는 인증을 받았으며, 이로써 지금까지 DDR에 대한 인텔의 인증만 99개를 확보하게 됐다고 20일 밝혔다. 하이닉스도 256메가 DDR SD램 단품 및 모듈이 최근 인텔로부터 제품 인증을 받아 국제적인 공신력을 획득했으며 512메가 DDR400 제품도 조만간 제품인증을 받게될 것이라고 이날 밝혔다. DDR400의 데이터 처리속도는 범용인 DDR266 보다 50% 이상 향상된 것으로 인텔은 펜티엄4의 동작속도를 3GHz로 고속화하는데 DDR400이 최적의 제품인만큼 이번 인증을 통해 올해 주력제품으로 DDR400을 선택한 것으로 업계는 분석했다. 또 이번 양사의 인증 획득은 최근 가격 하락세를 보이고 있는 D램 시장의 회복에도 청신호가 될 것으로 전망된다. 업계 관계자는 "DDR400이 올 4분기에는 전체 DDR 시장수요의 30%에 달하고 올하반기까지 일반 데스크톱 PC에 채용되는 초고속 메모리의 50% 이상이 DDR400으로 교체될 것"이라고 예상했다. 이에따라 삼성전자는 DDR400의 시장확대를 위해 인텔의 '스프링데일 칩셋'을 채택할 주요 PC업체들에게 DDR400 샘플을 전달하고 내년에는 533Mbps 이상의 동작속도를 구현하는 DDR-II 제품을 출시할 예정이며, 하이닉스도 DDR400 및 DDRⅡ 등 고성능 DDR 생산에 주력키로 했다. (서울=연합뉴스) 권혁창 기자 faith@yonhapnews.co.kr