하이닉스반도체는 차세대 이동통신 단말기용 대용량 S램을 개발,전세계 이동통신 단말기업체에 상용샘플을 공급하기 시작했다고 29일 밝혔다. 신 제품은 고집적 대용량화를 실현하기 위해 일반 S램 구조와는 달리 1개의 트랜지스터와 1개의 커패시터(Capacitor.축전기)로 구성되는 D램 셀(Cell) 구조를 채용한 '수도(Pseudo)S램' 16메가와 32메가 제품으로 회로선폭 0.18㎛(1㎛은 1백만분의 1m)의 미세회로 공정기술을 적용했다. 또 기존 이동통신 단말기용 S램과 호환될 뿐만 아니라 업계 최초로 기존 범용저전력 S램과도 완벽한 호환성을 갖도록 설계됐다. 70ns(나노 세컨드.10억분의 1초)와 85ns의 고속으로 데이터 처리가 가능,차세대 이동통신단말기에 적합하다고 하이닉스는 설명했다. 제품크기를 최소화할 수 있는 패키지 기술을 적용,업계에서 가장 작은 7㎜x8㎜로 생산된다. 하이닉스는 내년 1.4분기부터 본격 양산에 들어가 내년 한해 1억달러의 매출을 올릴 것으로 기대하고 있다. 김성택 기자 idntt@hankyung.com