대우전자는 미국 IBM에 이어 세계 두번째로 차세대 무선통신 전용
반도체인 70GHz급 실리콘 게르마늄(SiGe HBT) 반도체를 개발했다고
25일 발표했다.

대우전자는 에이에스비와 공동으로 이 제품을 개발했으며 내년 6월
본격 양산에 들어갈 계획이라고 밝혔다.

실리콘 게르마늄 반도체는 현재 1GHz 이상의 무선통신용으로 쓰이는
갈륨비소(GaAs) 반도체에 비해 열전도율과 출력효율이 각각 3배, 10배
이나 기존 공정으로 생산하기 때문에 제조단가를 40%이상 낮출 수
있다고 회사는 설명했다.

대우는 이 기술을 기반으로 연말까지 무선통신 기지국및 중계기에
사용되는 고주파용 파워트랜지스터를 개발,6개월간의 신뢰성 평가를
거쳐 내년 6월부터 월10만개 규모로 양산할 예정이다.

이와 함께 내년 하반기까지 개인휴대통신(PCS),유럽형 이동통신시스템
(GSM), IMT-2000등 차세대 무선통신용 고주파IC 개발을 완료할 방침이다.

이를 위해 대우는 2001년까지 총 1백50억원을 투자하기로 했다.

대우전자는 고주파용 반도체 기술정보 시스템을 구축,대우전자의
실리콘 게르마늄 반도체 설계정보를 단말기 및 이동통신 시스템 업체에
제공해 이동통신용 주문형 반도체 개발을 유도할 계획이다.

국내업체들은 현재 1GHz 이상의 이동통신용 고주파 반도체를 전량
수입에 의존하고 있다. 대우는 이번 반도체개발로 연간 1조원대의 수입
대체 효과를 기대했다.

이 반도체는 위성위치 확인시스템(GPS) 자동항법시스템(CNS)광대역
무선 가입자망(B-WLL)지능형 교통 시스템(ITS)등에 응용할 수있다.

윤진식 기자 jsyoon@ked.co.kr

( 한 국 경 제 신 문 1999년 10월 26일자 ).