2백56메가D램 이상 초고집적 반도체에 사용될 차세대 반도체 소자용
고성능 슈퍼 실리콘 웨이퍼가 국내 산학연구진에 의해 세계 처음 개발
됐다.

삼성전자는 16일 한양대 첨단 반도체소재.소자개발연구소와 공동으로
초고집적 반도체의 품질과 생산성을 획기적으로 향상시킬수 있는 8인치
용 슈퍼 실리콘 웨이퍼를 개발하는데 성공했다고 발표했다.

슈퍼 실리콘 웨이퍼는 실리콘 제조공정시 발생하는 알갱이 형태의
부산물과 웨이퍼의 중금속 오염을 없앤 것이다.

현행 웨이퍼의 경우 16메가D램에서 64메가D램으로 고집적화하면서
웨이퍼 표면에 결함이 생기고 화학물질 사용으로 중금속에 오염돼
생산수율이 떨어지는 단점을 갖고 있다.

일본 반도체업체들은 이를 추가적인 열처리로 방지하고 있으나 이
방법은 웨이퍼가 휠 염려가 높고 생산비가 20%이상 더 드는 문제점이
있다.

한양대 박재근 교수(전자전기공학부)는 "2백56메가D램 이상의 반도체에
대해선 슈퍼 실리콘 웨이퍼 사용이 일반화될 것"이라며 "미쓰비시 머티리얼
실리콘(MSIL)등 일본 웨이퍼 제조업체들과 기술 수출을 협의중"이라고
밝혔다.

삼성전자와 한양대는 이와관련,한국 미국등 8개국에 특허 2건을
출원중이다.

강현철 기자 hckang@

( 한 국 경 제 신 문 1999년 8월 17일자 ).