현대전자는 약1억7천만달러를 투자, 올 상반기안에 초고속 D램인 다이렉트
램버스 D램의 양산체제를 갖추기로 했다.

72메가와 1백44메가 다이렉트 램버스 D램을 순차적으로 양산, 램버스
D램으로만 올해 4억달러의 매출을 올린다는 목표다.

현대전자는 21일 차세대 주력 메모리반도체중 하나인 램버스D램 분야의
사업계획을 이같이 확정, 발표했다.

현대의 올해 램버스 D램 매출목표에는 현재 인수협상이 진행중인
LG반도체의 공급량은 포함되지 않았다.

현대는 램버스 D램의 양산에 대비, 최근 72메가 다이렉트 램버스D램 상용
샘플과 모듈형(D램이 여러개 장착된 기판) 제품을 인텔 IBM 컴팩 등 대형
거래처에 공급했다.

이 제품에는 64메가SD램, 128메가 SD램 등과 같은 0.22미크론m(1미크론m은
1백만분의 1m) 회로선폭 기술이 적용됐기 때문에 조기 양산이 가능하다고
현대는 설명했다.

이 회사는 또 0.22미크론m 회로선폭 기술이 적용된만큼 칩의 크기가
기존 제품보다 20%이상 작아졌으며 그에따라 웨이퍼 한장당 칩생산량은
23% 정도 증가, 가격경쟁력이 높다고 덧붙였다.

현대는 우선 2.4분기부터 72메가 램버스 다이렉트 D램의 양산에 들어가
하반기에는 월 생산량을 4백만개로 늘릴 계획이다.

또 3.4분기에는 월 100만개의 144메가 램버스D램 생산을 개시하고
4.4분기에는 256메가 램버스D램의 샘플을 출하키로 했다.

램버스 D램은 현재 D램시장의 주력인 싱크로너스 제품(PC-100)보다
정보처리 속도가 6배정도 빠르다.

이 D램은 인텔사의 칩셋개발이 완료되는 올 2.4분기부터 시장이 형성돼
초기부터 물량부족이 예상되고 있으며 가격도 기존제품보다 40%가량 높을
것으로 전망되고 있다.

< 윤진식 기자 jsyoon@ >

( 한 국 경 제 신 문 1999년 1월 22일자 ).