현대전자산업 메모리연구소 윤희구 이사는 우리나라를 세계 1위의 반도체
산업국가로 끌어올린 원동력이 됐던 4메가.16메가D램을 개발하는데 절대적인
기여를 했다.

또 2세대 4메가D램개발에서는 웨어퍼에 홈을 파 회로를 집어넣는 트렌치
구조에서 웨어퍼에 쌓아 올리면서 회로를 새겨넣는 스택구조 셀로 과감히
변경, 양산기술을 확보하는데 공헌했다.

지난 91년에는 다층 스택구조를 국내 처음으로 도입, 16메가D램을 선발
업체와 비슷한 시기에 개발해 냄으로써 국내 반도체기술의 위상을 높이는데
주도적 역할을 했다.

이 기술은 세계최초의 16메가D램개발의 기반기술로 활용되는등 기술적
가치를 인정받고 있다.

윤이사는 특히 D램뿐만 아니라 우리나라의 초기반도체산업을 알리는데
기여를 한 S램제품개발에도 큰 공적을 쌓았다.

S램은 D램과는 달리 데이터를 입출력할수 있으며 전원이 끊겨도 저장된
데이터가 사라지지 않는 메모리반도체이다.

윤이사는 지난 94년 고속 1메가 싱크로너스(동기)S램을 개발했으며
64메가D램 기술수준인 회로선폭 0.35미크론m급의 2세대 고속 저전력소모형
4메가S램을 개발해 냈다.

또 133MHz급 초고속 4메가 싱크로너스 S램을 개발함으로써 차세대 퍼스널
컴퓨터(PC)인 P6.1시리즈의 고속 보조기억메모리제폼 시장선점및 경쟁력
강화에 주도적인 역할을 했다.

차세대 저전압 저전력 동작 S램에 필수적인 폴리실리콘TFT의 양산화및
신뢰성 기술확보에 성공, 1메가.4메가 슬로(데이터처리속도 80~120나노초)
S램의 양산체제구축을 가능케 했다.

특히 TFT변환형 고정항부하셀기술은 기존의 메모리셀기술에 비해 동일한
특성을 유지하면서도 셀의 크기를 30% 이상 줄일수 있어 고속 S램제품의
생산성 향상에 크게 기여하고 있다.

윤이사는 또 메모리제품개발의 다양화를 위한 마스크롬개발에도 주력,
동종업체중 데이터처리속도가 가장 빠른 제품을 개발하는등 마스크롬의
고부가가치화를 일궈냄으로써 관련부문의 경쟁력을 끌어올리는데 큰 역할을
했다.

현대전자산업은 윤이사의 S램회로설계및 TFT양산화기술 독자개발에 힘입어
국제경쟁력을 갖춘 고속동작 싱크로너스 S램제품및 저전력소모 S램제품군을
갖춤으로써 반도체수출확대에 주도적인 역할을 할수 있을 것으로 기대하고
있다.

< 김재일기자 >

(한국경제신문 1996년 9월 18일자).