금성일렉트론이 기가D램급 메모리반도체개발을 목표로 초고집적반도체제조
의 핵심기술인 초극미세 방사광X선 노광기술을 포항공대와 공동개발한다.

20일 금성일렉트론은 내년부터 2003년까지 9년간 4백억원을 투자, 포항공대
포항가속기연구소의 방사광가속기를 이용해 4기가D램급 회로선폭인
0.12미크론(1미크론은 1백만분의 1m)의 방사광X선 노광기술을 포항공대와
공동개발키로 하는 내용의 기술개발협정을 체결했다.

금성일렉트론과 포항공대는 1단계로 방사광X선 노광의 기초기술을 개발하고
2단계로 이를 반도체제조에 적용하는 기술을 연구하게 된다.

방사광X선은 파장이 짧아 투과도가 높은 빛으로 일반 의료용 X선보다
1백만배 빠른 특징을 갖고 있어 미세한 회로형상을 짧은 시간내에 재현,
초고집적 반도체제조에 적용될 수 있을 것으로 예상되고 있다.

방사광X선 개발은지난 7일 포항공대가 준공한 방사광가속기의 첫번째
연구프로젝트이다.

노광기술이란 반도체회로가 설계된 마스크에 빛을 투과해 웨이퍼에
설계도를 그려 넣는 것으로 반도체가 고집적화될수록 반도체회로 간격이
좁아져 초정밀을 요구하는 반도체제조의 핵심기술이다.

이번에 금성일렉트론과 포항공대가 공동개발키로한 0.12미크론급 노광기술
은 0.35미크론 수준인 64메가D램보다 3배가까이 회로선폭이 좁은 것이다.

방사광X선을 반도체제조에 적용하는 기술은 아직 세계적으로 실용화되지
않았으며 미국 일본업체들이 전담연구소를 설립해 기초기술을 개발하고
있는 단계이다.

금성일렉트론은 이기술개발을 통해 회로선폭 0.18미크론의 1기가D램은 물론
0.12미크론의 4기가D램을 조기에 개발할 계획이라고 밝혔다.

(한국경제신문 1994년 12월 21일자).