전자통신연구소는 국내에서 처음으로 3인치기판에 양산가능한 갈륨비소
(GaAs)초고주파 집적회로(MMIC)제작기술의 개발에 성공했다고 31일 밝혔다.

전자통신연구소(ETRI)가 관련산업체 대학 출연연구소 등 40여개기관
관계자를 상대로 기술발표회를 가진 갈륨비소 초고주파 집적회로 제작기술
은 휴대전화기 무선LAN PCN(개인휴대통신) 위성통신 위성방송 수신기 등에
사용되는 부품을 제작하는데 필수적인 기술이다.

지금까지는 국내에서 MMIC를 개발하기 위해서는 외국에서 라이브러리
(설계지침서)를 입수해 설계한뒤 약8만달러에 공정을 의뢰하고 기간도 20주
가 소요되었다. 이에따라 중소기업체의 경우 MMIC개발은 거의 불가능했으며
자연히 무선통신기기의 경쟁력도 취약했다고 ETRI는 밝혔다.

ETRI는 이번에 개발한 MMIC제작기술을 공개하고 MMIC개발 산학연협의회를
구성해 회원사들에 MMIC개발을 무상으로 지원하기로 했다.

또 앞으로는 이번에 개발한 제작기술을 더욱 보강해 연말까지 0.25 급
고전자이동도트랜지스트(HEMT)소자와 1.6W급 전력소자를 추가하고 내년에는
40기가헬츠급 이종접합양극성트랜지스트(HBT)전력소자를 추가해 세계
최고수준의 라이브러리로 발전시켜 나갈 계획이라고 ETRI는 밝혔다.

<김형근기자>