"슈도S램의 4메가화". 삼성전자 기흥연구소 조수인부장(36)의 책상머리에
붙어있던 개발목표문구이다. 지난91년2월부터 붙어있던 이쪽지가 지난달
중순 떼어졌다. 목표가 달성된 것이다.

"D램의 간단한 기본구조에 S램의 자체재충전 기능을 부여한
메모리반도체입니다"
조부장은 슈도 S램은 D램과 S램의 장점을 고루지닌 반도체라고 잘라
말하면서 1메가급용량을 4메가급으로 끌어올린데 걸린 1년6개월이
짧으면서도 긴 시간이었다고 털어놓는다. 4메가슈도S램은 D램의 구조를
바탕으로해 고집적이 가능한 메모리 반도체이다. 작동할때는 외부로부터
재충전을 받아야하지만 대기때에는 자체재충전하도록 설계돼 S램의 기능을
살렸다.

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"80,1백,1백20나노초(1나노초는 10억분의 1초)의 정보처리속도를
갖습니다" 그는 이번에 개발된 4메가슈도S램이 여느 선진업체의 제품과
비교해도 손색이 없다고 강조한다.

조부장은 자체재충전을 위해 반도체에 넣는 재충전회로설계에서
재충전주기를 결정하는 부분이 개발과정에서 겪었던 큰 고비였다고
털어놓는다. 자체 재충전소비전류를 최소화하도록 설계를 하려했기
때문이다. 재충전할 시기를 너무 늦게 잡으면 이미 데이터는 지워진다.
재충전이 지나치게 빨리 이뤄질경우 전력낭비가 생긴다.

"포병장교가 포격지점을 사수에게 알리는 것과 다를바 없습니다. 아무리
정조준을 잘해도 잘못된 장소를 목표로 하고있다면 헛일이죠"
정확한 재충전시기의 중요성을 강조한 그는 컴퓨터 시뮬레이션으로
어려움을 이겼냈다고 말한다.

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용산고를 거쳐 지난 79년 서울대 전자공학과를 졸업한뒤 삼성전자
기흥연구소에서 반도체연구에 뛰어들기 시작한 조부장은 이번에 얻은
4메가슈도S램을 D램과 보완,더좋은 메모리반도체를 개발하겠다고 포부를
밝힌다.

<글오광진기자> 사진김 우기자