일본전기(NEC)는 불소계 신유기재료를 사용, 실온에서도 실리콘웨이퍼위
에 박막을 형성시킬수 있는 반도체제조기술을 개발했다고 일경산업신문이
보도했다.
이 신기술은 배선이 끊어지지 않고 미세가공에 견디는 평탄막을 형성할
수있어 64메가D램등과 같이 다층배선이 필수적인 차세대반도체의
치간절연막형성에 크게 기여할 것으로 전망된다고 이신문은 전했다.
반면 열과 플라즈마(초고온에서 원자가 전리하여 이온화된 가스상태)를
이용한 종래의 박막형성기술은 섭씨3백도의 고온이 필요해 웨이퍼가 손상될
위험이 큰것으로 평가돼왔다.
신기술의 특징은 플로로트리에트키키시란이라는 유기재료를 채용,수증기를
씌우면 불소가 촉매로 작용해 가열하지 않아도 연속적인 반응이 일어나
박막이 형성된다는 점이다.
이 기술은 또 열을 사용하지 않아 고온이 필요한 CVD(화학적기상성장)법에
비해 열팽창등의 영향이 없고 알루미늄선의 단선과 배선저항이 증가하는
것등을 피할수 있는 것으로 알려졌다.