동부전자, 저전압 0.18㎛ 공정기술 생산체제 구축

동부전자는 최첨단 비메모리 반도체를 생산할 수있는 0.18㎛(미크론)급 저전압용(1.5V) CMOS(금속산화물반도체) 제조기술에 대한 자체 품질인증을 완료했다고 15일 발표했다. 이번 품질 인증은 반도체 제품 사용시 발생할 수 있는 각종 악조건을 실험해 공정기술과 개별 샘플 제품의 신뢰성 유지 여부를 평가하기 위한 13개의 품질 실험 항목에 대해 실시됐다. 동부전자는 오는 12월에 도시바로부터 0.18㎛ 공정기술 품질인증을 획득할 예정이며 내년 상반기중으로 0.13㎛급 공정기술의 품질인증도 완료할 계획이다. 동부전자는 0.18㎛급의 첨단 제조공정을 확보, 차별화된 기술경쟁력을 발휘할수 있어 고집적의 첨단 기술력이 요구되는 SOC(시스템 온칩) 제조분야에서 강한 영업경쟁력을 가질 수 있게 됐다고 밝혔다. 동부전자는 이번에 확보한 공정기술을 이용해 다음달부터 이스라엘의 타워세미컨덕터(Tower Semiconductor)를 비롯한 고객사에 0.18㎛급 비메모리 반도체를 공급할 예정이다. 동부전자 한신혁 사장은 "품질인증을 계기로 비메모리 반도체 시장에서 입지를한층 강화할 수 있을 것"이라며 "이달중에 마무리될 것으로 예상되는 5천800억원의신디케이트론이 완결되는대로 설비를 증설해 향후 예상되는 공급 물량의 적기 공급에 대비할 예정"이라고 말했다. (서울=연합뉴스)김현준기자 june@yna.co.kr