초미세가공기술 이용 주문형반도체 개발...금성일렉트론

금성일렉트론이 삼성전자에 이어 0.8미크론(1미크론은 1백만분의 1mm)급 초미세 가공기술을 이용한 ASIC(주문형반도체)을 상품화하는등 국내에서도 서브미크론급 ASIC시대가 본격화되고있다. 금성일렉트론은 5일 기존의 1.2미크론급 제품보다 집적도와 정보처리속도가크게 향상된 0.8미크론급 ASIC을 개발, 생산을 시작했다고 밝혔다. 이 제품은 게이트어레이의 경우 23만개, 스탠더드셀은 30만~35만개의 게이트를 사용할수있어 1.2미크론 제품보다 집적능력이 4배정도 크고 처리속도도80bps로 2배정도 향상됐다. 또 ASIC분야의 세계적 반도체업체인 미국 VLSI테크놀러지사와 제품 규격이일치, 호환성을 갖고있어 내수는 물론 수출도 확대할수있게됐다. 이 회사는 미국과 홍콩에 ASIC디자인 하우스를 갖고있다. 이에앞서 삼성전자는 지난해 0.8미크론급을 개발한데 이어 금년초부터 내수판매 및 수출에 나섰다. 이 회사는 ASIC부문을 강화하기위해 미국 독일 일본 홍콩 대만등 5개국에 디자인센터를 개설했으며 기흥 반도체공장에 있는 D램생산 라인의 일부를ASIC라인으로 개체하고있다. 이 회사는 현재 0.5미크론급 제품개발에도 착수했다. 이밖에 현대전자도 미국에 있는 디자인 현지법인과 협력, 0.8미크론급 개발을 완료하여 양산을 서두르는등 올들어 ASIC의 서브미크론 시대가 가속화되고있다. 세계 ASIC시장은 금년초 서브미크론시대에 진입했으며 일본의 경우 지난해하반기부터 이 제품을 본격 생산하고있다.