LG반도체는 포항공대와 공동으로 4기가D램을 만드는데 필요한 0.1
3미크론(1 =1백만분의 1m)급 차세대 CMOS(상보성 금속산화막 반도체)
소자 제조공정을 개발했다고 25일 발표했다.

0.1 3미크론급 차세대 CMOS소자 공정은 2백56메가D램 반도체 제작에
사용되는 0.2 5미크론급의 회로선폭에 비해 집적도가 16배 이상 높은
기술이다.

LG반도체는 이 기술로 기가D램 반도체는 물론 고성능.저전력의 차세대
로직제품의 개발기간도 크게 단축할수 있을 것으로 보고있다.

LG반도체와 포항공대는 공대안에 방사광 가속기의 X선 노광장치와
LG의 광(광)노광장치를 혼용하는 방법으로 이 기술을 개발했다.

기존 반도체 양산라인의 노광기술을 최대한 활용하면서 기존 노광기술
로 안되는 부분은 X선 노광장치의 노광기술로 보완했다는 설명이다.

노광기술은 반도체회로를 웨이퍼 위에 형상화시키는 반도체공정의
핵심기술이다.

메가급 반도체에는 자외선 노광기술이 사용되고 있으나 이기술은 기가
급에 해당하는 0.1 8미크론급 이하의 초미세 회로를 형상화하는데 한계
가 있어 반도체메이커들은 자외선을 대체할수 있는 신기술개발에 총력
을 기울이고 있다.

LG반도체 관계자는 "통상적으로 한세대 제품이 바뀔 때 4배의 기억
용량 확대와 70%의 선폭 축소율을 보이는 점과 현재 주력제품이 64메
가D램이라는점을 감안할 때 이번 기술개발은 한꺼번에 3세대를 뛰어
넘는 것"이라고 말했다.

< 박주병 기자 >


( 한 국 경 제 신 문 1998년 3월 26일자 ).